画像は参考までに、仕様書を参照してください

PDTC114YE,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: PDTC114YE,115
説明: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-75, SOT-416
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 10 kOhms
サプライヤー装置パッケージ SC-75
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 100mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 99 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

BCR503E6393HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR198E6393HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies
$0
PDTA143EK,115
NXP USA Inc.
$0
PDTA124XK,115
NXP USA Inc.
$0