画像は参考までに、仕様書を参照してください
PDTC123EE,115
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| データシート: | PDTC123EE,115 |
| 説明: | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 150mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SC-75, SOT-416 |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| ベース部材番号 | PDTC123 |
| 抵抗基地(R1) | 2.2 kOhms |
| サプライヤー装置パッケージ | SC-75 |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 2.2 kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 79 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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