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PDTC143EE,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: PDTC143EE,115
説明: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-75, SOT-416
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 4.7 kOhms
サプライヤー装置パッケージ SC-75
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 4.7 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 150mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 30 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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