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PDTD113EK,115
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| データシート: | PDTD113EK,115 |
| 説明: | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 250mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| ベース部材番号 | PDTD113 |
| 抵抗基地(R1) | 1 kOhms |
| サプライヤー装置パッケージ | SMT3; MPAK |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 1 kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 500mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 83 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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