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PMDXB600UNEZ

メーカー:	Nexperia USA Inc.
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	PMDXB600UNEZ
説明:	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Nexperia USA Inc.
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	265mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-XFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	620mOhm @ 600mA, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	DFN1010B-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	21.3pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	600mA