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PMDXB600UNEZ

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: PMDXB600UNEZ
説明: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 265mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-XFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ DFN1010B-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 600mA

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