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SIA527DJ-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIA527DJ-T1-GE3
説明:	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N and P-Channel
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	7.8W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	29mOhm @ 5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SC-70-6 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c	4.5A