画像は参考までに、仕様書を参照してください

PRMD2Z

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: PRMD2Z
説明: PRMD2/SOT1268/DFN1412-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 480mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-XFDFN Exposed Pad
トランジスタタイプ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
抵抗基地(R1) 22kOhms
周波数-遷移 230MHz
サプライヤー装置パッケージ DFN1412-6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 22kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 150mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 60 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 4750 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN4990FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
PUMD6,115
Nexperia USA Inc.
$0
PUMD6,125
Nexperia USA Inc.
$0.05
PUMD6,135
Nexperia USA Inc.
$0.04