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BD435STU

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BD435STU
説明: TRANS NPN 32V 4A TO-126
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Active
-マックス 36W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-225AA, TO-126-3
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BD435
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 3MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-126-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 200mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max) 4A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 40 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 32V

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