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BDX33BG
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | BDX33BG |
| 説明: | TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 70W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| ベース部材番号 | BDX33 |
| 作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220AB |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 2.5V @ 6mA, 3A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 10A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 750 @ 3A, 3V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 80V |
