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FDD10N20LZTM

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDD10N20LZTM
説明: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ UniFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 360mOhm @ 3.8A, 10V
電力放蕩(マックス) 83W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 7.6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V, 10V

在庫が 2505 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.86 $0.84 $0.83
最小: 1

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