Image is for reference only , details as Specifications

FDD10N20LZTM

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FDD10N20LZTM
説明:	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	UniFET™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	360mOhm @ 3.8A, 10V
電力放蕩(マックス)	83W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	585pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	7.6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	5V, 10V