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FDD6680AS

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDD6680AS
説明: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®, SyncFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース部材番号 FDD6680
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 60W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 55A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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