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FDMC8200S_F106

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: FDMC8200S_F106
説明: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 700mW, 1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 20mOhm @ 6A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-Power33 (3x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A, 8.5A

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