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FDN357N

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FDN357N
説明:	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	60mOhm @ 2.2A, 10V
電力放蕩(マックス)	500mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SuperSOT-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.9nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	1.9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V