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FGA15N120ANTDTU-F109

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGA15N120ANTDTU-F109
説明: IGBT 1200V 30A 186W TO3P
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT and Trench
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 120nC
部地位 Active
-マックス 186W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 600V, 15A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 3mJ (on), 600µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 15ns/160ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A
反転回復時間(trr) 330ns
現在-コレクター・Ic (Max) 30A
現在-コレクターピン(Icm) 45A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 505 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.54 $2.49 $2.44
最小: 1

要求引用

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