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SGS10N60RUFDTU

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: SGS10N60RUFDTU
説明: IGBT 600V 16A 55W TO220F
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 30nC
部地位 Active
-マックス 55W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3 Full Pack
実験条件 300V, 10A, 20Ohm, 15V
ベース部材番号 SG*10N60
スイッチングエネルギー 141µJ (on), 215µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 15ns/36ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-220F
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A
反転回復時間(trr) 60ns
現在-コレクター・Ic (Max) 16A
現在-コレクターピン(Icm) 30A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 930 pcs

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