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FGA25N120ANTDTU

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGA25N120ANTDTU
説明: IGBT 1200V 50A 312W TO3P
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT and Trench
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 200nC
部地位 Active
-マックス 312W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 600V, 25A, 10Ohm, 15V
ベース部材番号 FGA25N120A
スイッチングエネルギー 4.1mJ (on), 960µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 50ns/190ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A
反転回復時間(trr) 350ns
現在-コレクター・Ic (Max) 50A
現在-コレクターピン(Icm) 90A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 854 pcs

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$3.47 $3.40 $3.33
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