画像は参考までに、仕様書を参照してください
FGA50N100BNTD2
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | FGA50N100BNTD2 |
| 説明: | IGBT 1000V 50A 156W TO3P |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | NPT and Trench |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 257nC |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 156W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 実験条件 | 600V, 60A, 10Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | - |
| td (on / off) @ 25°c | 34ns/243ns |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-3P |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| 反転回復時間(trr) | 75ns |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 50A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 200A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1000V |
在庫が 52 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.10 | $4.02 | $3.94 |
最小: 1
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