画像は参考までに、仕様書を参照してください

HGTG11N120CND

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTG11N120CND
説明: IGBT 1200V 43A 298W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 100nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 298W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 960V, 11A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 950µJ (on), 1.3mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 23ns/180ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A
反転回復時間(trr) 70ns
現在-コレクター・Ic (Max) 43A
現在-コレクターピン(Icm) 80A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 208 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.52 $3.45 $3.38
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IRGB4056DPBF
Infineon Technologies
$3.41
FGH40N60SMDF
ON Semiconductor
$3.37
IRG4IBC30WPBF
Infineon Technologies
$3.26
HGTP20N60A4
ON Semiconductor
$3.14
ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor
$3.02