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HGTP7N60B3D

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTP7N60B3D
説明: IGBT 600V 14A 60W TO220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 23nC
部地位 Obsolete
-マックス 60W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
実験条件 480V, 7A, 50Ohm, 15V
ベース部材番号 HGTP7N60
スイッチングエネルギー 160µJ (on), 120µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 26ns/130ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-220-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A
反転回復時間(trr) 37ns
現在-コレクター・Ic (Max) 14A
現在-コレクターピン(Icm) 56A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 85 pcs

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