画像は参考までに、仕様書を参照してください
MJD122G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | MJD122G |
| 説明: | TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1.75W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| ベース部材番号 | MJD122 |
| 作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 4MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | DPAK |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 4V @ 80mA, 8A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 8A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 10µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
