MJD31C1
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
データシート: | MJD31C1 |
説明: | TRANS NPN 100V 3A IPAK |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
シリーズ | - |
包装 | Tube |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 1.56W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
トランジスタタイプ | NPN |
ベース部材番号 | MJD31 |
作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
周波数-遷移 | 3MHz |
サプライヤー装置パッケージ | I-PAK |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 3A |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 50µA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 10 @ 3A, 4V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
在庫が 56 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1