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MJD31C1

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MJD31C1
説明: TRANS NPN 100V 3A IPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Obsolete
-マックス 1.56W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 MJD31
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 3MHz
サプライヤー装置パッケージ I-PAK
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.2V @ 375mA, 3A
現在-コレクター・Ic (Max) 3A
トラッキング・キュートフ(マックス) 50µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 10 @ 3A, 4V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

在庫が 56 pcs

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