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MSD601-RT1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MSD601-RT1G
説明: TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 200mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 MSD601
作動温度 -
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SC-59
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 210 @ 2mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 3000 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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