NDD03N80Z-1G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | NDD03N80Z-1G |
説明: | MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 4.5Ohm @ 1.2A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 96W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | I-PAK |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 800V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 2.9A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 82 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1