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NGTB03N60R2DT4G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: NGTB03N60R2DT4G
説明: IGBT 9A 600V DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tape & Reel (TR)
入力タイプ Standard
門電荷 17nC
部地位 Active
-マックス 49W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
実験条件 300V, 3A, 30Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 50µJ (on), 27µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 27ns/59ns
作動温度 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ DPAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A
反転回復時間(trr) 65ns
現在-コレクター・Ic (Max) 9A
現在-コレクターピン(Icm) 12A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 59 pcs

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