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NGTB15N60S1EG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: NGTB15N60S1EG
説明: IGBT 600V 30A 117W TO220-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 88nC
部地位 Active
-マックス 117W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
実験条件 400V, 15A, 22Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 550µJ (on), 350µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 65ns/170ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-220
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 15A
反転回復時間(trr) 270ns
現在-コレクター・Ic (Max) 30A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 92 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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