画像は参考までに、仕様書を参照してください
NGTD13T65F2WP
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | NGTD13T65F2WP |
| 説明: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Trench Field Stop |
| 包装 | Bulk |
| 入力タイプ | Standard |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | Die |
| 実験条件 | - |
| スイッチングエネルギー | - |
| td (on / off) @ 25°c | - |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | Die |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 120A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 61 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.10 | $1.08 | $1.06 |
最小: 1
要求引用
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