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NGTD20T120F2WP

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: NGTD20T120F2WP
説明: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Bulk
入力タイプ Standard
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 Die
実験条件 -
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c -
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Die
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
現在-コレクターピン(Icm) 100A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 78 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.63 $1.60 $1.57
最小: 1

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