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NSBA114TDXV6T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: NSBA114TDXV6T1G
説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 500mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 NSBA1*
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SOT-563
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 160 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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