NTD3808N-35G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | NTD3808N-35G |
説明: | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | I-PAK |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 16V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 12V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 12A (Ta), 76A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 75 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1