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NTLJS1102PTBG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NTLJS1102PTBG
説明: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±6V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 720mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 700mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 6-WDFN (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 8V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 4V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.2V, 4.5V

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