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NTMFS4H013NFT1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NTMFS4H013NFT1G
説明: MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.7W (Ta), 104W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3923pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c 43A (Ta), 269A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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