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NVD5117PLT4G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NVD5117PLT4G
説明: MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Discontinued at Digi-Key
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 16mOhm @ 29A, 10V
電力放蕩(マックス) 4.1W (Ta), 118W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4.8nF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 11A (Ta), 61A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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