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NVMFS4C302NT1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NVMFS4C302NT1G
説明: NFET SO8FL 30V 1.15MO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.15mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.75W (Ta), 115W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 5780pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 43A (Ta), 241A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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