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SMUN5216DW1T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: SMUN5216DW1T1G
説明: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Active
-マックス 187mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 MUN52**DW1T
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 160 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 2900 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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