SMUN5216DW1T1G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
データシート: | SMUN5216DW1T1G |
説明: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
シリーズ | - |
包装 | Cut Tape (CT) |
部地位 | Active |
-マックス | 187mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
トランジスタタイプ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
ベース部材番号 | MUN52**DW1T |
抵抗基地(R1) | 4.7kOhms |
周波数-遷移 | - |
サプライヤー装置パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | - |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 160 @ 5mA, 10V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 2900 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.47 | $0.46 | $0.45 |
最小: 1