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BSM080D12P2C008

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: BSM080D12P2C008
説明: SIC POWER MODULE-1200V-80A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tray
fet特徴 Silicon Carbide (SiC)
部地位 Active
-マックス 600W
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 Module
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 13.2mA
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs -
サプライヤー装置パッケージ Module
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs -
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1200V (1.2kV)
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)

在庫が 14 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$301.74 $295.71 $289.79
最小: 1

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