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BSM180C12P2E202
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | BSM180C12P2E202 |
| 説明: | BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tray |
| vgs max | +22V, -6V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パケット/場合 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| 作動温度 | 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | - |
| 電力放蕩(マックス) | 1360W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | Module |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1200V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 10V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 204A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | - |
在庫が 4 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $560.00 | $548.80 | $537.82 |
最小: 1
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