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DTC123EUAT106

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	DTC123EUAT106
説明:	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Not For New Designs
-マックス	200mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-70, SOT-323
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
ベース部材番号	DTC123
抵抗基地(R1)	2.2 kOhms
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	UMT3
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	20 @ 20mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V