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EMA3T2R

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: EMA3T2R
説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ EMT5
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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