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ES6U1T2R

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: ES6U1T2R
説明: MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Isolated)
部地位 Not For New Designs
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 700mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 6-WEMT
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.5V, 4.5V

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