ES6U1T2R
メーカー: | ROHM Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | ES6U1T2R |
説明: | MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ROHM Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vgs max | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | Schottky Diode (Isolated) |
部地位 | Not For New Designs |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SOT-563, SOT-666 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
作動温度 | 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 700mW (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | 6-WEMT |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 12V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 1.3A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
在庫が 12000 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1