IMD10AT108
メーカー: | ROHM Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
データシート: | IMD10AT108 |
説明: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ROHM Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
シリーズ | - |
包装 | Digi-Reel® |
部地位 | Active |
-マックス | 300mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SC-74, SOT-457 |
トランジスタタイプ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ベース部材番号 | MD10A |
抵抗基地(R1) | 10kOhms, 100Ohms |
周波数-遷移 | 250MHz, 200MHz |
サプライヤー装置パッケージ | SMT6 |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 10kOhms |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA, 500mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 5089 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1