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IMD10AT108

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: IMD10AT108
説明: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-74, SOT-457
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 MD10A
抵抗基地(R1) 10kOhms, 100Ohms
周波数-遷移 250MHz, 200MHz
サプライヤー装置パッケージ SMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA, 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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