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R6007JNJGTL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: R6007JNJGTL
説明: R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 780mOhm @ 3.5A, 15V
電力放蕩(マックス) 96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ LPTS (D2PAK)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 15V

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