画像は参考までに、仕様書を参照してください

R6009JNJGTL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: R6009JNJGTL
説明: R6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 1.38mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
電力放蕩(マックス) 125W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ LPTS (D2PAK)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 15V

在庫が 100 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FCMT199N60
ON Semiconductor
$0
SIE822DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
STL19N60M2
STMicroelectronics
$1.26
STF18N60DM2
STMicroelectronics
$1.25
DMN95H8D5HCTI
Diodes Incorporated
$1.25