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R6011END3TL1

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: R6011END3TL1
説明: NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 390mOhm @ 3.8A, 10V
電力放蕩(マックス) 124W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 11A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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