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R6030JNZ4C13

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	R6030JNZ4C13
説明:	R6030JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 5.5mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	143mOhm @ 15A, 15V
電力放蕩(マックス)	370W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247G
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	30A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	15V