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RGC80TSX8RGC11

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: RGC80TSX8RGC11
説明: IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
入力タイプ Standard
門電荷 468nC
部地位 Active
-マックス 535W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 600V, 40A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 80ns/565ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247N
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 5V @ 15V, 40A
現在-コレクター・Ic (Max) 80A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1800V

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