画像は参考までに、仕様書を参照してください

RGT8NL65DGTL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: RGT8NL65DGTL
説明: FIELD STOP TRENCH IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Digi-Reel®
入力タイプ Standard
門電荷 13.5nC
部地位 Active
-マックス 65W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 400V, 4A, 50Ohm, 15V
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c 17ns/69ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ LPDS
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
反転回復時間(trr) 40ns
現在-コレクター・Ic (Max) 8A
現在-コレクターピン(Icm) 12A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 1000 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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