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US6M11TR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: US6M11TR
説明: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-SMD, Flat Leads
ベース部材番号 *M11
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ TUMT6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V, 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.5A, 1.3A

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