画像は参考までに、仕様書を参照してください
US6T4TR
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | US6T4TR |
| 説明: | TRANS PNP 12V 3A TUMT6 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部地位 | Not For New Designs |
| -マックス | 1W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 6-SMD, Flat Leads |
| トランジスタタイプ | PNP |
| ベース部材番号 | US6T |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 280MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TUMT6 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 30mA, 1.5A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 3A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 270 @ 500mA, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 12V |
在庫が 78 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.17 | $0.17 | $0.16 |
最小: 1
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