画像は参考までに、仕様書を参照してください
VT6T12T2R
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| データシート: | VT6T12T2R |
| 説明: | TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 150mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 6-SMD, Flat Leads |
| トランジスタタイプ | 2 PNP (Dual) |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 300MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | VMT6 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
