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HAT2131R-EL-E

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: HAT2131R-EL-E
説明: MOSFET N-CH 8SO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3Ohm @ 450mA, 10V
電力放蕩(マックス) 2.5W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 350V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 900mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4V, 10V

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